Tesis doctoral / Disertacion del ano 2011 en eltema Ingenieria electrica, Nota: -, Universidad de Sevilla, Materia: Microelectronica, Idioma: Espanol, Resumen: En esta tesis doctoral se han desarrollado tecnicas de diseno para circuitos electronicos integrados que empleen dispositivos con una, o varias, regiones de resistencia diferencial negativa (Negative Differential Resistance, NDR) en su caracteristica IV. Uno de los dispositivos mas representativos con este tipo de caracteristica es el diodo basado en el efecto tunel resonante (Resonant Tunneling Diode, RTD). Las ventajas de velocidad, consumo y complejidad reducidas que ofrecen estos diodos frente a realizaciones convencionales, ya demostradas en tecnologias III/V, se asocian a la presencia de esta region NDR. El escalado de la tecnologia MOS basada en silicio esta alcanzando sus limites, en cuanto a densidad y prestaciones, debido a limitaciones fisicas fundamentales por lo que la inclusion de dispositivos nanoelectronicos, en los que se utilizan efectos cuanticos para obtener las funciones tipicas del transistor, es una alternativa que debe ser considerada para la que, de hecho, puede constatarse una creciente actividad investigadora.
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